Embalaje a escala de obleas para osciladores basados en FBAR Un IC integrado monolíticamente con dispositivos acústicos es uno de los dispositivos más prometedores para aplicaciones RF. Para producir un oscilador de reloj integrado, la unión de un IC y un dispositivo acústico en el nivel de la oblea, es decir, la integración basada en la oblea de compresión, similar en 5, parece el método más práctico. Sin embargo, también se requiere una integración monolítica para un sensor inalámbrico de un chip, etc., de manera que un CI puede integrarse adicionalmente con sensores u otros dispositivos por medio de un método de enlace de tipo "flip-chip" o similar. RESUMEN: Se propone un proceso de integración para la fabricación de resonador de ondas acústicas a granel de película fina (FBAR) por encima del IC CMOS. Se utiliza una técnica de transferencia de película basada en uniones adhesivas para transferir una película Si de alta resistividad sobre un chip CMOS. El benzociclobuteno (BCB) se utiliza como una película adhesiva. Es un polímero resistente al calor y los procesos de la temperatura hasta 300 C se permiten en él. El CMOS está protegido por BCB y por lo tanto no está dañado por los tratamientos con plasma y químicos. La película de Si transferida ofrece una superficie plana y estable que se utiliza para la deposición de rutenio, nitruro de aluminio y aluminio para fabricar la estructura FBAR. Finalmente, Si bajo el área del dispositivo activo es grabado sacrificialmente para fabricar el tipo de entrehierro FBAR. En este trabajo se presenta el proceso de fabricación y se discuten temas importantes relacionados con la fabricación. Full-text Conference Paper Oct 2012 Mostrar resumen Ocultar el resumen RESUMEN: La mayoría de los chips ASIC (Application Specific Integrated Circuits) tienen una necesidad común de sincronización. El reloj suele ser suministrado por el usuario final del chip ASIC y consiste en un resonador de cristal de cuarzo, dos condensadores de precisión y un controlador de inversor on-chip. Un proveedor de ASIC que puede integrar el reloj dentro de su paquete tendrá un diferenciador de producto en relación con sus competidores. Demostramos un FBAR Resonator (ZDR) de deriva cero con un Q nativo de 3000 y una estabilidad a la temperatura de 50 ppm integrada con un núcleo de oscilador CMOS, todos los circuitos de polarización, buffer de oscilador, divisores y buffer de salida. El circuito CMOS de nodo de 0.6m está integrado en la tapa de silicio del dispositivo microcapacitado. Dado que se crean muchos miles de troqueles empaquetados en cada oblea, se puede tomar una cantidad significativa de estadísticas sobre el efecto del cambio de frecuencia debido al estrés ambiental (HAST, Autoclave, choque térmico). Esto nos permite cuantificar con precisión los efectos del envejecimiento, así como las formas más probables de fallas de dispositivos en el campo. Conference Paper Oct 2011 Mostrar un resumen Ocultar el resumen RESUMEN: Demostramos un oscilador de 2,6 GHz que midió ruido de fase mejor que -150 dBc / Hz a 1 MHz de compensación y un jitter integrado de sólo 25 fs. La parte fue diseñada con diferencial hacia fuera y conduce una carga diferencial de 100 ohmios con una oscilación media del voltaje de 100 a 200 mV. El ruido de fase a 10 kHz es -110 dBc / Hz. El dispositivo funciona a 3.3V e Idd es algo más de 9mA (incluyendo buffer). Otra variante está diseñada para tener un varactor en el chip que permite el ajuste de 615 ppm / V sobre el rango de ajuste de 0,5 a 1,8 V. Aquí, la fluctuación de fase integrada se degrada por 2X a 0 V Vtune y medimos 85 fs de fluctuación a 1,5 V de Vtune. Sin embargo, el jitter integrado estaba muy por debajo de 100 fs. La parte envasada en todo el silicio está diseñada para soldar directamente sobre un PCB. No hay cables de enlace utilizados en el montaje de este dispositivo. La altura de la pieza soldada es inferior a 0,25 mm y el área de la matriz es inferior a 1 mm2. El oscilador utiliza un Zero Drift Resonator (ZDR) FBAR y vemos alrededor de -100 ppm de temperatura de -40C a 110C. El diseño utiliza una arquitectura de acoplamiento cruzado con el ZDR y se acopla a un amplificador tampón. (FBAR) L Band Bajo Oscilador de Ruido para Comunicaciones Digitales quotPara más de 20 años, FBAR o SMR-BAW (Resonator Solid-Mounted Acumulador de Onda Acústica) con su alto producto fBULLETQ se ha propuesto como una alternativa atractiva A enfoques convencionales para aplicaciones de temporización 1 2. Al igual que otros resonadores mecánicos de escala mm, FBAR requiere un paquete hermético para mantener la estabilidad de frecuencia. Los avances recientes en compensación de temperatura para FBAR (Film Bulk Acoustic Resonators) han llevado a esta tecnología como un contendiente serio en el mercado de los osciladores. Como con cualquier oscilador de resonador mecánico, un paquete hermético rentable combinado con la tecnología de circuitos son críticos para la aplicación comercial. Miles de millones de duplexadores FBAR han sido fabricados utilizando el proceso de empaquetado Avago Technologiesx27, por lo que una oblea de silicio de tapa está unida a Au-diffusion a una oblea base FBAR para hacer un paquete robusto y hermético. Este documento presenta un método para integrar circuitería en la oblea de tapa para formar un oscilador de escala de chip de 0,1 mmltsupgt3lt / supgt, submW, 1,5 GHz compensado por temperatura. Se discutirán la integración, las pruebas y el rendimiento del circuito. Documento de la Conferencia Jun 2011 quot1a. Se compone de una película delgada de material piezoeléctrico, Nitruro de Aluminio (AlN) en este caso, que está intercalada entre dos electrodos metálicos sobre un sustrato micromachinado 1. El chip contiene dos dispositivos FBAR, cuya frecuencia de resonancia se desplaza un poco para formar una sección elemental Para un filtro de escalera. Los resonadores de ondas acústicas a granel (FBAR) de la película resultan ser buenos candidatos para el diseño de osciladores de baja potencia en la región de frecuencia de baja GHz. Para potenciar el uso de los resonadores FBAR a frecuencias más altas, se demuestra un oscilador que utiliza una frecuencia de sobretensión del FBAR. Un oscilador de 7 GHz está construido sobre una PCB usando un transistor pHEMT comercial como elemento activo y componentes pasivos montados en superficie. El FBAR está unido por cable a la PCB. El ruido de fase medido de -110 dBc / Hz a 1MHz de offset. Para el conocimiento de la autorx27s este circuito es el primer oscilador basado en tonos FBAR en PCB. 2. En muchas de las aplicaciones prácticas, la afinación de banda estrecha del oscilador es necesaria para bloquearla con el oscilador. Un oscilador de estabilidad inferior pero mucho más elevado. Resumen Este artículo describe el diseño y el rendimiento medido de un oscilador sintonizado de varactor de bajo ruido basado en un resonador acústico a granel de película (FBAR) a 2 GHz. Utilizando la sintonización de varactor, este oscilador demostró un rango de frecuencia de 2,5 MHz a 1985 MHz con un ruido de fase de -112 dBc / Hz a 10 kHz del portador. Esto representa el primer ejemplo de un oscilador sintonizable FBAR Si-bipolar de bajo ruido. Documento de la Conferencia Jul 2003 A. P.S. Comparación con el oscilador SiT8002 y con los osciladores Dicera DSC8002 y Silicon Lab Si502 SiTime presenta su primer oscilador MEMS ensamblado en el paquete Wafer Level Chip Scale para obtener la palabra Más pequeño (1.2mm2) oscilador de energía ultra-baja para aplicaciones industriales y de consumo. SiTime está aprovechando plenamente todos los procesos e infraestructuras de fabricación de semiconductores para desarrollar un dispositivo realmente compacto y competir con soluciones de cuartos para la misma aplicación. Este análisis completo de costes inversos se ha llevado a cabo para proporcionar información sobre los datos de tecnología, coste de fabricación y precio de venta de la SiT1552 SiT1552 de baja potencia 32kHz Compensated Crystal Oscillator. El informe incluye comparaciones con el Oscilador SiT8002 y con los osciladores Dicera DSC8002 y Silicon Lab Si504. SiTime SiT1512 utiliza un innovador embalaje de 1,55 x 0,85 mm de nivel de viruta de la oblea que contiene dos matrices apiladas: un oscilador MEMS y un ASIC para el acondicionamiento de la señal. El oscilador MEMS se gira y se conecta al ASIC por los solapes de soldadura. El componente está protegido por un revestimiento polimérico y está conectado eléctricamente mediante bolas de soldadura. Para este oscilador de nueva generación, SiTime ha integrado muchas nuevas tecnologías para ser competitivo con los dispositivos de cuarzo. El oscilador MEMS se fabrica en una oblea SOI utilizando procesos MEMSFirstTM y EpiSealTM bajo licencia de Robert Bosch GmbH. 1. Visión General / Introducción 2. SiTime Corporation Perfil de la Compañía 3. Análisis Físico - Metodología de Análisis Físico - Paquete Ver amplificador Dimensiones - Dimensiones marcas de amplificación - Dimensiones marcas de amplificador - SiT1552 vs SiT8002 - Diceras vs SiLabs vs SiTimes MEMS Oscilador 5. Flujo de proceso de fabricación - Análisis de costos - Síntesis del análisis de costos - Principales pasos del análisis económico - ASIC Costo de la parte frontal - MEMS Costo de la parte delantera - MEMS Prueba de prueba de amperios Dicing Costo - MEMS Wafer amp Die Coste - ASIC amp MEMS WLP Costo - Back-End. Prueba final Amperaje Costo de limpieza - SiT1552 Coste del componente
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